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IXTQ230N085T数据手册Littelfuse中文资料规格书
IXTQ230N085T规格书详情
特性 Features
·Trench Gate MOSFET Technology
·Break down voltages VDSS: 36V to 300V
·Current ratings ID25: 12A to 660A
·Ultra-low on-state resistance RDS(on)
·Superior avalanche ruggedness
·Junction temperature TJ up to 175°C
·International standard packages
技术参数
- 型号：
IXTQ230N085T
- 功能描述：
MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
2022+ |
TO-3P-3,SC-65-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-3P |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
TO-3P |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
17+ |
TO-3P |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
1503+ |
TO-3P |
3000 |
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询价 |
