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IXTQ200N085T中文资料N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options数据手册Littelfuse规格书
IXTQ200N085T规格书详情
特性 Features
·Trench Gate MOSFET Technology
·Break down voltages VDSS: 36V to 300V
·Current ratings ID25: 12A to 660A
·Ultra-low on-state resistance RDS(on)
·Superior avalanche ruggedness
·Junction temperature TJ up to 175°C
·International standard packages
技术参数
- 型号：
IXTQ200N085T
- 功能描述：
MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
20+ |
TO-3P |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2023+ |
TO-3P |
1350 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 | ||
IXYS |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-3P |
2250 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
IXYS |
2447 |
TO-3P |
105000 |
30个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
30 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 |
