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3N80	文件：200.25 Kbytes Page：6 Pages	2.5Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N80provideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)=3.8Ω@VGS=10V UltraLowGateCharge(typical19nC) *LowReverseTransfer	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N80	文件：210.29 Kbytes Page：6 Pages	3Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N80	文件：398.32 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
KF3N80D	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELD GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N80D	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF3N80D/I	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID=2.7A •Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

技术参数

功能描述：
TRANSISTOR

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更多IXTP3N80A供应商更新时间2025-7-29 15:51:00

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