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IXUC160N075	文件：55.24 Kbytes Page：2 Pages	TrenchPowerMOSFET Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •TrenchMOSFET -verylowRDS(on) -fastswitching -usableintrinsicreversediode •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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