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MTN14N60FP	文件：345.03 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
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SIHH14N60E	文件：197.55 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Fullylead(Pb)-freedevice •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Kelvinconnectionforreducedgatenoise •Materialcategorization:fordefinit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH14N60EF	文件：192.24 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP14N60E	文件：161.73 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
IXTP14N60PM
功能描述：
MOSFET Polar MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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