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IXTN320N10T中文资料N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options数据手册Littelfuse规格书
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特性 Features
·Trench Gate MOSFET Technology
·Break down voltages VDSS: 36V to 300V
·Current ratings ID25: 12A to 660A
·Ultra-low on-state resistance RDS(on)
·Superior avalanche ruggedness
·Junction temperature TJ up to 175°C
·International standard packages
技术参数
- 型号：
IXTN320N10T
- 功能描述：
MOSFET 320 Amps 100V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
220 |
现货供应 |
询价 | |||
IXYS |
25+ |
模块 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
模块 |
3562 |
询价 | |||
IXYS |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
模块 |
800 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
模块 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
SOT-227BminiBLOC |
18 |
询价 |
