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IXTN200N10T中文资料N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET数据手册Littelfuse规格书
IXTN200N10T规格书详情
特性 Features
• 国际标准包装
• 低RDS(ON)
• 雪崩评级
• 高电流处理能力
• 快速本征整流器
应用 Application
• 开关模式和谐振模式电源
• DC-DC转换器
• 电池充电器
• 不间断电源
• AC电机驱动器
• 直流斩波器
• 高速电源开关应用
技术参数
- 型号：
IXTN200N10T
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
220 |
现货供应 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
模块 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
2526+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
IXYS |
6000 |
面议 |
19 |
 专营模块 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
200A100V |
450 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
询价 | ||
德国艾赛斯 |
2021+ |
IGBT 模块 |
5000 |
只做原装，可提供样品 |
询价 |
