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IXTN200N10T中文资料N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET数据手册Littelfuse规格书

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厂商型号

IXTN200N10T

功能描述

N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-11-25 19:31:00

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IXTN200N10T规格书详情

特性 Features

• 国际标准包装
• 低RDS(ON)
• 雪崩评级
• 高电流处理能力
• 快速本征整流器

应用 Application

• 开关模式和谐振模式电源
• DC-DC转换器
• 电池充电器
• 不间断电源
• AC电机驱动器
• 直流斩波器
• 高速电源开关应用

技术参数

  • 型号:

    IXTN200N10T

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
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IXYS/艾赛斯
24+
220
现货供应
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德国艾赛斯
2021+
IGBT 模块
5000
只做原装,可提供样品
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IXYS(艾赛斯)
2526+
Original
50000
只做原装优势现货库存,渠道可追溯
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IXYS/艾赛斯
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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IXYS
6000
面议
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 专营模块
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