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SIHB6N80E	文件：137.69 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHD6N80AE	文件：203.44 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •IntegratedZenerdiodeESDprotection •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SIHP6N80E	文件：149.34 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Se	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP6N80E	文件：329.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IXTM6N80A
制造商：
IXYS
制造商全称：
IXYS Corporation
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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