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IXTH35N30数据手册NJS中文资料规格书

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厂商型号

IXTH35N30

功能描述

Trans MOSFET N-CH 300V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-18 16:04:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IXTH35N30

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Power Dissipation

    :300000mW

  • Maximum Gate Source Voltage

    :±20V

  • Maximum Drain Source Voltage

    :300V

  • Maximum Continuous Drain Current

    :35A

  • Material

    :Si

  • Configuration

    :Single

  • Channel Type

    :N

  • Channel Mode

    :Enhancement

  • Category

    :Power MOSFET

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