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IXTC200N075T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options ·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages\n;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTC200N075T	文件：295.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTH200N075T	文件：382.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：382.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTH200N075T	文件：190.09 Kbytes Page：5 Pages	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET 文件：190.09 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP200N075T	文件：221.06 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMV Power MOSFET 文件：221.06 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

更多IXTC200N075T供应商更新时间2025-10-5 15:30:00