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IXTA56N15T中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXTA56N15T

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件大小

140.14 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-6 11:10:00

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IXTA56N15T规格书详情

VDSS = 150 V

ID25 = 56 A

RDS(on) ≤ 36 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

特性 Features

Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

175 °C Operating Temperature

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

产品属性

  • 型号:

    IXTA56N15T

  • 功能描述:

    MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-263
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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IXYS
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