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JCS4N80RC-O-R-N-B	文件：1.04895 Mbytes Page：11 Pages	Switchedmodepowersuppliesy	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS4N80VC-O-V-N-B	文件：1.04895 Mbytes Page：11 Pages	Switchedmodepowersuppliesy	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
KF4N80F	文件：1.28966 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KF4N80F	文件：391.06 Kbytes Page：6 Pages	ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics. GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID	MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd 金升阳广州金升阳科技有限公司	MORNSUN
KF4N80F	文件：389.87 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS=800V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM4N80	文件：1.92391 Mbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB4N80	文件：734.8 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF4N80	文件：1.91068 Mbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTB4N80E	文件：195.74 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTS TMOSE-FETHighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithh	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP4N80	文件：159.11 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Ina	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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