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IXTA10N60P规格书详情
PolarHV™ Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
特性 Features
• International standard packages
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号:
IXTA10N60P
- 功能描述:
MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
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IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
60000 |
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IXYS |
24+ |
TO-263 |
8866 |
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IXYS |
25+ |
TO-263 |
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Littelfuse/IXYS |
24+ |
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IXYS |
21+ |
TO-263 |
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IXYS |
23+ |
TO-263 |
50000 |
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