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IXTA08N100D2	文件：183.11 Kbytes Page：5 Pages	DepletionModeMOSFET DepletionModeMOSFET N-Channel Features •NormallyONMode •InternationalStandardPackages •MoldingEpoxiesMeetUL94V-0 FlammabilityClassification Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •AudioAmplifiers •Start-upCircuits •Protection	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTY08N100D2	文件：299.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=30Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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