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IXGX60N60B2D1	文件：622.97 Kbytes Page：6 Pages	HiPerFAST IGBT with Diode Optimizedfor10-25kHzhardswitchingandupto Features •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-modeandresonant-modepowersupplies •Uninterrup	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGX60N60B2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3 变式；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 500W PLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
60N60B2D1	文件：514.169 Kbytes Page：6 Pages	B2-ClassHighSpeedIGBTs(ElectricallyIsolatedBackSurface)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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产品属性

产品编号：
IXGX60N60B2D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，50A
开关能量：
1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/160ns
测试条件：
400V，50A，3.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
供应商器件封装：
PLUS247™-3
描述：
IGBT 600V 75A 500W PLUS247

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