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IXGK60N60C2D1	文件：620.36 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTwithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •VeryhighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGN60N60C2D1	文件：156.6 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTswithDiode HiPerFAST™IGBTswithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •InternationalStandardPackageminiBLOC •AluminiumNitrideIsolation-HighPowerDissipation •Anti-ParallelUltraFastDiode •IsolationVoltage3000V~ •LowVCE(sat)forMinimumOn-StateConductionLosses •MOSGateTurn	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGR60N60C2D1	文件：612.54 Kbytes Page：6 Pages	Lightspeed2TMSeries(ElectricallyIsolatedBackSurface) Features •DCBIsolatedmountingtab •MeetsTO-247ADpackageOutline •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandresonant-modep	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGX60N60C2D1	文件：620.36 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFASTTMIGBTwithDiode C2-ClassHighSpeedIGBTs Features •VeryhighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •SquareRBSOA •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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