首页 >IXGT20N 60B>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

IXGT20N 60B

IXGT20N 60B

IXGT20N 60B

详细参数

  • 型号:

    IXGT20N 60B

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
08+(pbfree)
TO-268
8866
询价
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
询价
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
询价
IXYS
1809+
TO-268
326
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
10000
公司只做原装正品
询价
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
IXYS
22+
TO268
9000
原厂渠道,现货配单
询价
IXYS
21+
TO268
13880
公司只售原装,支持实单
询价
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
6000
原装正品,支持实单
询价
IXYS
2022+
TO-268
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
更多IXGT20N 60B供应商 更新时间2024-6-15 14:26:00