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IXGQ90N33TCD1	文件：150.19 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate, High Speed, IGBTs Trench Gate, High Speed, IGBTs For PDP Applications Features • Low VCE(sat) - for minimum On-State Conduction Losses • Fast Switching Applications • PDP Screen Drivers 文件：150.19 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGQ90N33TCD1	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 330V 90A 200W TO3P	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGQ90N33TCD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 330V 90A 200W TO3P	IXYS 艾赛斯	IXYS
FGA90N33AT	文件：655.18 Kbytes Page：8 Pages	330V, 90A PDP Trench IGBT 文件：655.18 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGA90N33ATD	文件：517.039 Kbytes Page：9 Pages	330V, 90A PDP Trench IGBT General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses areessential. Features • High current capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC= 文件：517.039 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FGA90N33ATD	文件：750.23 Kbytes Page：9 Pages	330V, 90A PDP Trench IGBT General Description Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applications where low conduction and switching losses areessential. Features • High current capability • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC= 文件：750.23 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

产品属性

产品编号：
IXGQ90N33TCD1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，45A
输入类型：
标准
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 330V 90A 200W TO3P

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