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IXGQ90N33TCD1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXGQ90N33TCD1 |
| 参数属性 | IXGQ90N33TCD1 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 330V 90A 200W TO3P |
| 功能描述 | Trench Gate, High Speed, IGBTs |
| 文件大小 |
150.19 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-2 23:00:00 |
IXGQ90N33TCD1规格书详情
Trench Gate, High Speed, IGBTs
For PDP Applications
Features
• Low VCE(sat)
- for minimum On-State Conduction Losses
• Fast Switching
Applications
• PDP Screen Drivers
IXGQ90N33TCD1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGQ90N33TCD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
IXGQ90N33TCD1
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，45A
- 输入类型：
标准
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P
- 描述：
IGBT 330V 90A 200W TO3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
NA/ |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO-3P |
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