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IXGP12N60B分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGP12N60B
厂商型号

IXGP12N60B

参数属性

IXGP12N60B 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 24A 100W TO220AB

功能描述

HiPerFAST IGBT
IGBT 600V 24A 100W TO220AB

封装外壳

TO-220-3

文件大小

73.29 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 23:00:00

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IXGP12N60B规格书详情

IXGP12N60B属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXGP12N60B晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Features

• Moderate frequency IGBT and antiparallel FRED in one package

• New generation HDMOSTM process

• International standard package JEDEC TO-220AB and TO-263AA

• High peak current handling capability

Applications

• PFC circuit

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• Switch-mode and resonant-mode power supplies

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGP12N60B

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    500µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    20ns/150ns

  • 测试条件:

    480V,12A,18 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 24A 100W TO220AB

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