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IXGN200N170数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXGN200N170规格书详情
特性 Features
• 国际标准包装
• 高电流处理能力
• MOS栅极开启 - 简化设计
• 坚固的NPT结构
• 成型环氧树脂达到UL 94V-0可燃性分类要求
应用 Application
• 电容放电和脉冲电路
• 交流电机转速控制
• 直流伺服驱动器和机器人驱动器
• 直流斩波器
• 不间断电源(UPS)
• 开关模式和谐振模式电源
技术参数
- 制造商编号
:IXGN200N170
- 生产厂家
:Littelfuse
- Collector Current @ 25 ℃ (A)
:280
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
:2.6
- Fall Time [Inductive Load] (ns)
:535
- Configuration
:Single
- Package Type
:SOT-227
- Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)
:0.1
- Collector Current @ 90 ℃ (A)
:160
- Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)
:44
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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