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IXGM20N60数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXGM20N60

参数属性

IXGM20N60 封装/外壳为TO-204AE;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:POWER MOSFET TO-3

功能描述

Low VCE(sat) IGBT High speed IGBT

封装外壳

TO-204AE

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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IXGM20N60规格书详情

描述 Description

Low VCE(sat) IGBT High speed IGBT

特性 Features

l International standard packages
l 2nd generation HDMOSTM process
l Low VCE(sat)
  - for low on-state conduction losses
l High current handling capability
l MOS Gate turn-on
  - drive simplicity
l Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)

Applications
l AC motor speed control
l DC servo and robot drives
l DC choppers
l Uninterruptible power supplies (UPS)
l Switch-mode and resonant-mode power supplies

技术参数

  • 产品编号:

    IXGM20N60

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    2mJ(开),3.2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    100ns/600ns

  • 测试条件:

    480V,20A,82 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AE

  • 供应商器件封装:

    TO-204AE

  • 描述:

    POWER MOSFET TO-3

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