首页>IXGM17N100A>规格书详情

IXGM17N100A分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

IXGM17N100A

参数属性

IXGM17N100A 封装/外壳为TO-204AE;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:POWER MOSFET TO-3

功能描述

Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
POWER MOSFET TO-3

封装外壳

TO-204AE

文件大小

64.739 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

网址

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-11-15 20:00:00

人工找货

IXGM17N100A价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IXGM17N100A规格书详情

IXGM17N100A属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXGM17N100A晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

● International standard packages

● 2nd generation HDMOSTM process

● Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

● High current handling capability

● MOS Gate turn-on

- drive simplicity

● Voltage rating guaranteed at high

temperature (125°C)

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Advantages

● Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

● High power density

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGM17N100A

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,17A

  • 开关能量:

    3mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    100ns/500ns

  • 测试条件:

    800V,17A,82 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AE

  • 供应商器件封装:

    TO-204AE

  • 描述:

    POWER MOSFET TO-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
30
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
IXYS
9352+
TO-3
30
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
IXYS
22+
TO204
9000
原厂渠道,现货配单
询价
24+
TO-3
221
询价
IXYS
24+
TO-3
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
IXYS
2025+
TO204AE
3570
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
IXYS
2022+
TO-204AE
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
IXYS
23+
TO-2
8000
只做原装现货
询价
IXYS
23+
TO-2
7000
询价
IXYS/艾赛斯
24+
TO-2
66800
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源!
询价