| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
10000 |
23+ |
全新、原装 |
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深圳市蓝山航业科技有限公司9年
留言
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IXYSTO-247 |
6000 |
1519+ |
仓库大量现货,要货提前交代 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IXYS/艾赛斯NA |
1958 |
23+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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IXYS/LittelfuseTO-247 |
2040 |
23+ |
只做原装提供一站式配套供货中利达 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IXYSTO-247-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Littelfuse/IXYSTO-247 |
928 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市蓝山航业科技有限公司9年
留言
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IXYSTO-247 |
1588 |
1519+ |
优势库存低价强势来袭 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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Littelfuse/IXYSTO-247 |
4500 |
新批次 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IXYSTO247 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Littelfuse/IXYSTO247 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IXYSTO-247 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IXYSTO-247-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IXYSTO-247-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IXYSTO-247-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯NA/ |
328 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
51 |
11+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IXYSTO247 |
9852 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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IXYSTO2473 |
6000 |
23+ |
IXGH48N60采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH48N60图片
IXGH48N60C3价格
IXGH48N60C3价格：￥15.7491品牌：Ixys
生产厂家品牌为Ixys的IXGH48N60C3多少钱，想知道IXGH48N60C3价格是多少？参考价：￥15.7491。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXGH48N60C3批发价格及采购报价，IXGH48N60C3销售排行榜及行情走势，IXGH48N60C3报价。
IXGH48N60C3D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH48N60A3功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 1.05 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH48N60A3D1功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH48N60B3功能描述:MOSFET 48 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXGH48N60B3C1功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH48N60B3D1功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 1.05 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH48N60C3功能描述:IGBT 晶体管 48 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH48N60C3C1功能描述:IGBT 晶体管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH48N60C3D1功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
