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IXGH32N60AU1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGH32N60AU1
厂商型号

IXGH32N60AU1

参数属性

IXGH32N60AU1 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 60A 200W TO247AD

功能描述

HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack
IGBT 600V 60A 200W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

文件大小

44.79 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 22:58:00

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IXGH32N60AU1规格书详情

IXGH32N60AU1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXGH32N60AU1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

特性 Features

●International standard packages JEDEC TO-247 SMD surface mountable and JEDEC TO-247 AD

● High frequency IGBT and antiparallel FRED in one package

●High current handling capability

●2nd generation HDMOSTM process

●MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

●AC motor speed control

●DC servo and robot drives

●DC choppers

●Uninterruptible power supplies (UPS)

●Switched-mode and resonant-mode power supplies

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGH32N60AU1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,32A

  • 开关能量:

    1.8mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/120ns

  • 测试条件:

    480V,32A,4.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 60A 200W TO247AD

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