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IXGH31N60	文件：55.64 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-Low VCE(sat) IGBT Features •Internationalstandardpackage •LowVCE(sat)-forminimumon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS)	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH31N60	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 150W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH31N60D1	文件：57.32 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-Low V IGBT with Diode Features •IGBTandanti-parallelFREDinonepackage •LowVCE(sat)-forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on-drivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)-softrecoverywithlowIRM Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCch	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH31N60U1	文件：46.44 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •IGBTandanti-parallelFREDinonepackage •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat)-forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on-drivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)-softrecoverywithlo	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH31N60D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 150W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
APT31N60BCS	文件：394.99 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT31N60BCSG	文件：394.99 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT31N60SCS	文件：394.99 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT31N60SCSG	文件：394.99 Kbytes Page：5 Pages	SuperJunctionMOSFET	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
IXGT31N60	文件：55.64 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features •Internationalstandardpackage •LowVCE(sat)-forminimumon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepowersupplies(UPS)	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
TK31N60W	文件：261.459 Kbytes Page：10 Pages	SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK31N60W	文件：351.97 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK31N60X	文件：432.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK31N60X	文件：243.86 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.073Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=1.5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
IXGH31N60
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，31A
开关能量：
6mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/400ns
测试条件：
480V，31A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 60A 150W TO247AD

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