IXGH30N60中文资料Low VCE(sat) IGBT High speed IGBT数据手册Littelfuse规格书
IXGH30N60规格书详情
特性 Features
International standard packages
2nd generation HDMOS™ process
Low VCE(sat)
- for low on-state conduction losses
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)
技术参数
- 产品编号：
IXGH30N60B
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
HiPerFAST™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，30A
- 开关能量：
1.3mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/130ns
- 测试条件：
480V，30A，4.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
35 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
TO-247 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
IXYS |
0441+ |
TO247 |
257 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
45000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
2695 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
23+24 |
TO-3P |
9860 |
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
35200 |
一级代理分销/放心采购 |
询价 |
