IXGH30N60数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXGH30N60规格书详情
特性 Features
International standard packages
2nd generation HDMOS™ process
Low VCE(sat)
- for low on-state conduction losses
High current handling capability
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)
技术参数
- 产品编号：
IXGH30N60B
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
HiPerFAST™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，30A
- 开关能量：
1.3mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/130ns
- 测试条件：
480V，30A，4.7 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
35 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
10658 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO247 |
1709 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
TO247 |
63834 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
1948+ |
T0-247 |
18562 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 |
