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IXTH20N50D	文件：163.08 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-Channel,DepletionMode Features •NormallyONMode •Internationalstandardpackages •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications •Levelshifting •Triggers •SolidStateRelays •CurrentRegulators •Activeload	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTT20N50D	文件：163.08 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageMOSFET HighVoltageMOSFET N-Channel,DepletionMode Features •NormallyONMode •Internationalstandardpackages •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications •Levelshifting •Triggers •SolidStateRelays •CurrentRegulators •Activeload	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JMP20N50A	文件：250.171 Kbytes Page：5 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
MSF20N50	文件：872.72 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSW20N50	文件：852.75 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTV20N50E	文件：273.05 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.240OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate TheD3PAKpackagehasthecapabilityofhousingthelargestchipsizeofanystandard,plastic,surfacemountpowersemiconductor.Thisallowsittobeusedinapplicationsthatrequiresurfa	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTV20N50E	文件：287.09 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTV20N50E	文件：297.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW20N50E	文件：107.32 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTW20N50E	文件：193.73 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.24OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMO	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTW20N50E	文件：321.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTY20N50E	文件：214.71 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCE20N50	文件：607.75 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE20N50F	文件：607.75 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
PHW20N50E	文件：93.34 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. FEATURES •Repet	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PJZ20N50	文件：583.48 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PSM20N50CT	文件：943.72 Kbytes Page：8 Pages	20A500VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
RFP-20N50TP	文件：498.72 Kbytes Page：2 Pages	AluminumNitrideTerminations	ANARENanaren 安伦	ANAREN
RFP-20N50TPC	文件：502.77 Kbytes Page：2 Pages	AluminumNitrideTerminations	ANARENanaren 安伦	ANAREN
RFP-20N50TPR	文件：499.69 Kbytes Page：2 Pages	AluminumNitrideTerminations	ANARENanaren 安伦	ANAREN

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXGH20N50AA	IXYS	18+	TO-247	2050	公司大量全新原装正品随时可以发货	询价
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更多IXGH20N50AA供应商更新时间2024-9-21 12:25:00

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