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IXFR12N100Q规格书详情
HiPerFET™ Power MOSFETs ISOPLUS247™ Q CLASS (Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dV/dt
Low Gate Charge and Capacitances
特性 Features
● Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
● Low drain to tab capacitance(<50pF)
● Low RDS (on) HDMOSTM process
● Rugged polysilicon gate cell structure
● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
● Fast intrinsic Rectifier
Applications
● DC-DC converters
● Battery chargers
● Switched-mode and resonant-mode power supplies
● DC choppers
● AC motor control
Advantages
● Easy assembly
● Space savings
● High power density
产品属性
- 型号：
IXFR12N100Q
- 功能描述：
MOSFET 12 Amps 1000V 1 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
11+ |
TO-247 |
210 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXFR12N100Q |
25+ |
210 |
210 |
询价 | |||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS247? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
ISOPLUS247? |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
ISOPLUS24 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
ISOPLUS24 |
7000 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS247 |
5000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
ISOPLUS247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
3266 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
