首页>IXFR12N100F>规格书详情
IXFR12N100F中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书
IXFR12N100F规格书详情
HiPerFET™ Power MOSFETs ISOPLUS247™ F-Class: MegaHertz Switching (Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dV/dt
Low Gate Charge and Capacitances
特性 Features
• RF capable MOSFETs
• Double metal process for low gate resistance
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance - easy to drive and to protect
• Fast intrinsic rectifier
Applications
• DC-DC converters
• Switched-mode and resonant-mode power supplies, >500kHz switching
• DC choppers
• 13.5 MHz industrial applications
• Pulse generation
• Laser drivers
• RF amplifiers
Advantages
• ISOPLUS 247TM package for clip or spring mounting
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号:
IXFR12N100F
- 功能描述:
MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
3266 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IXYS |
11+ |
TO-247 |
210 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXFR12N100Q |
25+ |
210 |
210 |
询价 | |||
IXYS |
22+ |
ISOPLUS247? |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
ISOPLUS247? |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
ISOPLUS24 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
ISOPLUS24 |
7000 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS247 |
5000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
ISOPLUS247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |


