| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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11年
留言
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德国IXYS艾塞斯MOUDLE |
12000 |
25+ |
原装正品假一罚十支持实单 |
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3年
留言
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IXYSMODULE |
1000 |
23+ |
全新原装现货 |
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12年
留言
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IXYS/艾赛斯MODULE |
12500 |
25+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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16年
留言
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场效应 |
650 |
23+ |
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3年
留言
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IXYSSOT |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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9年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
3580 |
24+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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9年
留言
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IXYSSOT-227B |
1000 |
19+/20+ |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
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8年
留言
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IXYS/艾赛斯SOT-227 |
52388 |
23+ |
原装正品 华强现货 |
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10年
留言
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IXYSN/A |
1600 |
23+ |
IXYS长期原装现货特价支持主营品牌现货现货 |
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8年
留言
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IXFNNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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6年
留言
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LINEAR/凌特TO-223 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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5年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
25+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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12年
留言
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IXYS/艾赛斯 |
8595 |
2540+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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11年
留言
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IXYS/艾赛斯MODULE |
12500 |
25+ |
全新原装现货 假一赔十 |
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10年
留言
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IXYSSOT-5397&NBS |
200 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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6年
留言
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IXYS/艾赛斯MODULE |
6000 |
23+ |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
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17年
留言
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IXYS模块 |
300 |
2018 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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14年
留言
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IXYS模块 |
3562 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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IXYS模块 |
890000 |
26+ |
一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务 |
IXFN4采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXFN4图片
IXFN44N80P价格
IXFN44N80P价格:¥101.0706品牌:IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXFN44N80P多少钱,想知道IXFN44N80P价格是多少?参考价:¥101.0706。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXFN44N80P批发价格及采购报价,IXFN44N80P销售排行榜及行情走势,IXFN44N80P报价。
IXFN48N50Q资讯
IXFN48N45
IXFN48N45,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291, 买模块选赛尔通模块商行
IXFN48N50
IXFN48N50,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291, 买模块选赛尔通模块商行
IXFN44N50
型号:IXFN44N50 类型:可控硅 品牌:IXYS/艾赛斯 控制方式:单向 极数:多级 封装材料:塑料封装 封装外形:平底形 关断速度:高频(快速) 散热功能:不带散热片 频率特性:高频 功率特性:大功率 额定正向平均电流:44(A) 控制极触发电流:1(mA)
IXFN40N110P 原装正品现货
全新原装进口,长期有货,本公司只做原厂原装,欢迎咨询!联系电话:0755-83225385 0755-82777362李先生:13691912091 QQ:1648252878 黄小姐:15012797976 QQ:1311044072 标准包装 10 类别
IXFN48N50Q中文资料Alldatasheet PDF
更多IXFN40N110P功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN40N60制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET
IXFN40N90P功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN420N10T功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN43N60制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET
IXFN44N100P功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN44N100Q3功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN44N50功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN44N50Q功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN44N50Q_03制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class






























