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IXFK44N80	文件：328.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK44N80P	文件：239.71 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK44N80P	文件：101.17 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK44N80P	文件：346.4 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=190mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFL44N80	文件：519.47 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS264	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN44N80	文件：120.22 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETsSingleMOSFETDie HiPerFET™PowerMOSFETsSingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInducti	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN44N80P	文件：85.12 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET Polar™HiperFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackage •LowIntrinsicGateResistance •miniBLOCwithAluminumNitrideIsolation •LowPackageInductance •FastIntrinsicRectifier •LowRDS(on)andQG Advantages	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN44N80P	文件：138.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR44N80P	文件：100.35 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX44N80	文件：368.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SMOS44N80	文件：183.14 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFETs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER

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