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IXFK44N80	文件：328.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK44N80P	文件：346.4 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=190mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK44N80P	文件：101.17 Kbytes Page：4 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXFK44N80P_V01	文件：239.71 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK44N80Q3	文件：132.17 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche RatedFast Intrinsic Rectifier	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK44N80Q3	文件：132.17 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFL44N80	文件：519.47 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS264	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN44N80	文件：120.22 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETsSingleMOSFETDie HiPerFET™PowerMOSFETsSingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInducti	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN44N80P	文件：85.12 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET Polar™HiperFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackage •LowIntrinsicGateResistance •miniBLOCwithAluminumNitrideIsolation •LowPackageInductance •FastIntrinsicRectifier •LowRDS(on)andQG Advantages	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN44N80P	文件：138.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR44N80P	文件：100.35 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX44N80	文件：368.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SMOS44N80	文件：183.14 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFETs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER

详细参数

型号：
IXFK44N80
功能描述：
MOSFET 44 Amps 800V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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