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IXFH26N60Q规格书详情
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg
特性 Features
● Low gate charge
● International standard packages
● Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification
● Low RDS (on) HDMOSTM process
● Rugged polysilicon gate cell structure
● Avalanche energy and current rated
● Fast intrinsic Rectifier
Advantages
● Easy to mount
● Space savings
● High power density
产品属性
- 型号：
IXFH26N60Q
- 功能描述：
MOSFET 600V 26A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
13888 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IXYS |
04+ |
TO-247 |
8 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-251 |
30 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
管3P |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
