首页>IXFH26N55Q>规格书详情
IXFH26N55Q中文资料IXYS数据手册PDF规格书
IXFH26N55Q规格书详情
VDSS = 550 V
ID25 = 26 A
RDS(on) = 0.23 Ω
trr ≤ 250 ns
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg , High dv/dt
特性 Features
IXYS advanced low Qg process
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
International standard packages
Low RDS (on)
Rated for unclamped Inductive load switching (UIS) rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
产品属性
- 型号：
IXFH26N55Q
- 功能描述：
MOSFET 26 Amps 550V 0.23 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-3P |
4000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
4000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
I |
22+ |
TO-247AD |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
IXYS |
21+ |
TO-247 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
原装正品 |
23+ |
TO-247 |
60617 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
55250 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
5425 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 |
