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IXFH20N50P3规格书详情
特性 Features
• 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg
• 快速体二极管
• dv/dt强度
• 雪崩评级
• 较低的封装电感
• 国际标准包装
应用 Application
• 工业开关模式和谐振模式电源
• 电动汽车电池充电器
• 交流和直流电机驱动器
• DC-DC转换器
• 可再生能源逆变器
• 电源功率因数校正（PFC）电路
• 机器人和伺服控制
技术参数
- 型号：
IXFH20N50P3
- 功能描述：
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-247 |
50000 |
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IXYS |
23+ |
TO-247 |
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IXYS |
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65 |
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IXYS |
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TO-247 |
36900 |
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IXYS/艾赛斯 |
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TO247 |
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