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IXER60N120分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXER60N120
厂商型号

IXER60N120

参数属性

IXER60N120 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247

功能描述

NPT3 IGBT
IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247

文件大小

54.09 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 11:36:00

IXER60N120规格书详情

NPT3 IGBT in ISOPLUS 247™

Features

• NPT3 IGBT

- low saturation voltage

- positive temperature coefficient for easy paralleling

- fast switching

- short tail current for optimized performance in resonant circuits

• ISOPLUS 247™ package

- isolated back surface

- low coupling capacity between pins and heatsink

- high reliability

- industry standard outline

Applications

• single switches and with complementary free wheeling diodes

• choppers

• phaselegs, H bridges, three phase bridges e.g. for

- power supplies, UPS

- AC, DC and SR drives

- induction heating

IXER60N120属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXER60N120晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXER60N120

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    7.2mJ(开),4.8mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    600V,60A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS247™

  • 描述:

    IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247

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