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IXDR30N120 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 IXYS/艾赛斯
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原厂料号:IXDR30N120品牌:IXYS
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IXDR30N120是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商IXYS生产封装TO-247-3的IXDR30N120晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 类型
描述
- 制造商编号
:IXDR30N120
- 生产厂家
:力特
- Collector Current @ 25 ℃ (A)
:50
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
:2.9
- Fall Time [Inductive Load] (ns)
:70
- Configuration
:Single
- Package Type
:PLUS247™
- Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)
:0.6
- Collector Current @ 90 ℃ (A)
:30
- Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)
:3.4
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