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KBJ602	文件：220.48 Kbytes Page：2 Pages	Single-phaseSiliconBridgeRectifierReverseVoltage50to1000VForwardCurrent6.0A [DACHANGELECTRONICS] ReverseVoltage50to1000V ForwardCurrent6.0A Features •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecapability •170ASurgeoverloadrating:170Amperespeak	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
KBJ602	文件：41.12 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-6.0Amperes FEATURES ●Ratingto1000VPRV ●Idealforprintedcircuitboard ●Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability ●Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KBJ602	文件：341.09 Kbytes Page：2 Pages	BRIDGERECTIFIERS3.0to6.0Amps BRIDGERECTIFIERS3.0to6.0Amps BRIDGERECTIFIERS6.0to8.0Amps	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
KBJ602	文件：66.43 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE6.0AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT6.0Amperes FEATURES Idealforprintedcircuitboard Lowforwardvoltage Mountingposition:Any Lowleakagecurrent	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
KBJ602	文件：386.969 Kbytes Page：2 Pages	6A200VRectifyingbridge	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

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产品属性

产品编号：
IXDN602SITR
制造商：
IXYS Integrated Circuits Division
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
7.5ns，6.5ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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