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IXDI430YI集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

IXDI430YI
厂商型号

IXDI430YI

参数属性

IXDI430YI 封装/外壳为TO-263-6,D²Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

功能描述

30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

封装外壳

TO-263-6,D²Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA

文件大小

781.94 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

IXYS

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数据手册

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更新时间

2025-8-9 17:09:00

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IXDI430YI规格书详情

IXDI430YI属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由IXYS Corporation制造生产的IXDI430YI栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

General Description

The IXDN430/IXDI430/IXDD430/IXDS430 are high speed high current gate drivers specifically designed to drive MOSFETs and IGBTs to their minimum switching time and maximum practical frequency limits. The IXD_430 can source and sink 30A of peak current while producing voltage rise and fall times of less than 30ns. The input of the drivers are compatible with TTL or CMOS and are fully immune to latch up over the entire operating range. Designed with small internal delays, cross conduction/current shoot-through is virtually eliminated in all configurations. Their features and wide safety margin in operating voltage and power make the drivers unmatched in

performance and value.

特性 Features

• Built using the advantages and compatibility of CMOS and IXYS HDMOS™ processes

• Latch-Up Protected

• High Peak Output Current: 30A Peak

• Wide Operating Range: 8.5V to 35V

• Under Voltage Lockout Protection

• Ability to Disable Output under Faults

• High Capacitive Load

Drive Capability: 5600 pF in <25ns

• Matched Rise And Fall Times

• Low Propagation Delay Time

• Low Output Impedance

• Low Supply Current

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXDI430YI

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    8.5V ~ 35V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,3.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    30A,30A

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    18ns,16ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-6,D²Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA

  • 供应商器件封装:

    TO-263-5

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

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