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IXDI430MYI集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXDI430MYI |
| 参数属性 | IXDI430MYI 封装/外壳为TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263 |
| 功能描述 | 30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver |
| 封装外壳 | TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA |
| 文件大小 |
619.61 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | IXYS Corporation |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Corporation官网 |
| 原厂标识 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 20:00:00 |
| 人工找货 | IXDI430MYI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IXDI430MYI规格书详情
IXDI430MYI属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由IXYS Corporation制造生产的IXDI430MYI栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
产品属性
更多- 产品编号：
IXDI430MYI
- 制造商：
IXYS
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
单路
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
8.5V ~ 35V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
30A，30A
- 输入类型：
反相
- 上升/下降时间（典型值）：
18ns，16ns
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
- 供应商器件封装：
TO-263-5
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
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