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IXBA14N300HV分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IXBA14N300HV |
| 参数属性 | IXBA14N300HV 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：REVERSE CONDUCTING IGBT |
| 功能描述 | High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor |
| 文件大小 |
365.55 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | IXYS Integrated Circuits Division |
| 企业简称 |
IXYS |
| 中文名称 | IXYS Integrated Circuits Division官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-24 11:03:00 |
IXBA14N300HV规格书详情
Features
• High Voltage Packages
• High Blocking Voltage
• Anti-Parallel Diode
• Low Conduction Losses
Advantages
• Low Gate Drive Requirement
• High Power Density
Applications
• Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Laser Generators
• Capacitor Discharge Circuits
• AC Switches
IXBA14N300HV属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXBA14N300HV晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
IXBA14N300HV
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
BIMOSFET™
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，14A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/166ns
- 测试条件：
960V，14A，20 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
TO-263
- 描述：
REVERSE CONDUCTING IGBT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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