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IXA33IF1200HB分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXA33IF1200HB
厂商型号

IXA33IF1200HB

参数属性

IXA33IF1200HB 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 58A 250W TO247

功能描述

XPT IGBT
IGBT 1200V 58A 250W TO247

封装外壳

TO-247-3

文件大小

131.44 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

IXYS

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更新时间

2025-8-7 8:24:00

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IXA33IF1200HB规格书详情

IXA33IF1200HB属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由IXYS Corporation制造生产的IXA33IF1200HB晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

Features / Advantages:

● Easy paralleling due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage

● Rugged XPT design (Xtreme light Punch Through) results in:

- short circuit rated for 10 µsec.

- very low gate charge

- low EMI

- square RBSOA @ 3x Ic

● Thin wafer technology combined with the XPT design results in a competitive low VCE(sat)

● SONIC™ diode

- fast and soft reverse recovery

- low operating forward voltage

Applications:

● AC motor drives

● Solar inverter

● Medical equipment

● Uninterruptible power supply

● Air-conditioning systems

● Welding equipment

● Switched-mode and resonant-mode power supplies

● Inductive heating, cookers

● Pumps, Fans

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXA33IF1200HB

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,25A

  • 开关能量:

    2.5mJ(开),3mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    600V,25A,39 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 58A 250W TO247

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