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KIA2051FN	文件：206.27 Kbytes Page：12 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(AMPULSENOISEREDUCTION) BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT AMPULSENOISEREDUCTION	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
LTC2051	文件：117.14 Kbytes Page：4 Pages	DualZero-DriftOperationalAmplifier	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2051	文件：1.71503 Mbytes Page：26 Pages	30MHz,240關APowerEfficientRail-to-RailI/OOpAmps	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2051	文件：150.41 Kbytes Page：12 Pages	Dual/QuadZero-DriftOperationalAmplifiers	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2051	文件：1.88956 Mbytes Page：28 Pages	1.3MHz,20關APowerEfficientRail-to-RailI/OOpAmps	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2051	文件：258.26 Kbytes Page：22 Pages	HighVoltage,High-SideCurrentSense	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2051	文件：923.43 Kbytes Page：29 Pages	36V,LowNoise,ZeroDriftOpAmp FEATURES Supplyvoltagerange:4.5Vto36V Offsetvoltage:±4μVmaximumat5V Offsetvoltagedrift:0.01μV/°Cmaximumat5V Inputnoise Voltage:88nVp-pfrom0.1Hzto10Hztypical Spectraldensityvoltage:4.2nV/√Hztypicalat1kHz Rail-to-railoutput Unity-gainstable GBP:5	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC2051	文件：1.16022 Mbytes Page：16 Pages	Zero-DriftOperationalAmplifiersinSOT-23 FEATURES APPLICATIONS nnMaximumOffsetVoltageof3μV nnMaximumOffsetVoltageDriftof30nV/°C nnNoise:1.5μVP-P(0.01Hzto10HzTyp) nnVoltageGain:140dB(Typ) nnPSRR:130dB(Typ) nnCMRR:130dB(Typ) nnSupplyCurrent:0.8mA(Typ) nnSupplyOperation nnLTC2050:2.7Vto6V nnL	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC2051	文件：3.00475 Mbytes Page：32 Pages	2μASupplyCurrent,LowIB,Zero-DriftOperationalAmplifiers FEATURES APPLICATIONS nLowSupplyCurrent:2μAMaximum(perAmplifier) nOffsetVoltage:5μVMaximum nOffsetVoltageDrift:0.02μV/°CMaximum nInputBiasCurrent: n3pATypical n30pAMaximum,–40°Cto85°C n100pAMaximum,–40°Cto125°C nIntegratedEMIFilter(114dBRejectionat1.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC2051	文件：4.90987 Mbytes Page：30 Pages	10μASupplyCurrent,LowIB,Zero-DriftOperationalAmplifier FEATURES APPLICATIONS nLowSupplyCurrent:10μAMaximum(perAmplifier) nOffsetVoltage:5μVMaximum nOffsetVoltageDrift:0.02μV/°CMaximum nInputBiasCurrent: n5pATypical n50pAMaximum,–40°Cto85°C n150pAMaximum,–40°Cto125°C nIntegratedEMIFilter(90dBRejectionat1.8	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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