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IXFQ10N80	文件：316.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFQ10N80P	文件：155.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●AvalancheRated ●LowPackageInductance ●EasytoDriveandtoProtect Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applicati	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFQ10N80P	文件：353.97 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS10N80C	文件：851.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Switchedmodepower suppliesy Electronicballast FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical8.6pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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JCS10N80FC-F-BR	文件：851.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Switchedmodepower suppliesy Electronicballast FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical8.6pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS10N80GDC-GD-B	文件：851.18 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Switchedmodepower suppliesy Electronicballast FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical8.6pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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JMP10N80A	文件：272.188 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
MS10N80	文件：1.01225 Mbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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