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ISPW07N60CFD	文件：335.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • High peak current capability • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤700mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：335.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MH07N60CT	文件：1.40092 Mbytes Page：8 Pages	600V Silicon N-Channel Power MOSFET 文件：1.40092 Mbytes 页数：8 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
MHF07N60CT	文件：4.21888 Mbytes Page：8 Pages	600V Silicon N-Channel Power MOSFET 文件：4.21888 Mbytes 页数：8 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
MJU07N60CT	文件：302.39 Kbytes Page：7 Pages	600V Super Junction Power MOSFET 文件：302.39 Kbytes 页数：7 Pages	CITC 竹懋科技	CITC

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更多ISPW07N60CFD供应商更新时间2025-11-24 15:21:00