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ISPP06N60C3	文件：339.24 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.75Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA06N60C3	文件：260.769 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplica	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA06N60C3	文件：202.31 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Highpeakcurrentcapability •Ultraloweffectivecapacitances •Extremedv/dtrated •Improvedtransconductance •Fullyisolatedpackag	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA06N60C3	文件：227.83 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD06N60C3	文件：411.35 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Highpeakcurrentcapability •Ultraloweffectivecapacitances •Extremedv/dtrated •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant availableinHalogenfreem	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD06N60C3	文件：642.41 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD06N60C3	文件：401.49 Kbytes Page：11 Pages	Ultralowgatecharge	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD06N60C3	文件：336.42 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.75Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP06N60C3	文件：339.24 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.75Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP06N60C3	文件：258.86 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市赛尔通科技有限公司	ISPPAC1001PI	LAT	23+		65480		询价

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