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ISP26DP06NMSATMA1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
ISP26DP06NMSATMA1 |
| 参数属性 | ISP26DP06NMSATMA1 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET P-CH 60V SOT223 |
| 功能描述 | MOSFET P-CH 60V SOT223-3 |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 17:28:00 |
| 人工找货 | ISP26DP06NMSATMA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ISP26DP06NMSATMA1规格书详情
简介
ISP26DP06NMSATMA1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的ISP26DP06NMSATMA1晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 产品编号：
ISP26DP06NMSATMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 系列：
OptiMOS™
- 包装：
卷带（TR）
- FET 类型：
P 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
1.9A（Ta）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
PG-SOT223
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 描述：
MOSFET P-CH 60V SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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