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ISP26DP06NMS中文资料常规和逻辑电平的 P 沟道 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
ISP26DP06NMS |
参数属性 | ISP26DP06NMS 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET P-CH 60V SOT223 |
功能描述 | 常规和逻辑电平的 P 沟道 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性 |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 17:18:00 |
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ISP26DP06NMS规格书详情
特性 Features
• VDS= -60V
• Very low on-resistance RDS(on)
• 100% avalance tested
• Logic level
• Qualified according to JEDEC standard
优势:
• Easy interface to MCU
• Fast switching
• Avalanche ruggedness
应用 Application
• Battery
• Consumer
• LV-Drives
• Power tools
简介
ISP26DP06NMS属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的ISP26DP06NMS晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
:ISP26DP06NMS
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:ISP26DP06NMSATMA1
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:PG-SOT223-3
- VDS max
:-60 V
- RDS (on) @10V max
:260 mΩ
- ID @25°C max
:-1.9 A
- QG typ @10V
:-10.8 nC
- Special Features
:Small Power
- Polarity
:P
- Operating Temperature min
:-55 °C
- Operating Temperature max
:150 °C
- VGS(th) min
:-2.1 V
- VGS(th) max
:-4 V
- Technology
:OptiMOS™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-SOT-223-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-223-3 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PG-SOT-223-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-SOT-223-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOT-223 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-SOT-223-3 |
9600 |
原装现货,欢迎询价 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-SOT-223-3 |
10000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
PG-SOT-223-3 |
115000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
PG-SOT223-3 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |