ISO6520-Q1数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

ISO652x-Q1 器件是高性能双通道功能隔离器，适用于需要与非安全应用隔离的成本敏感、空间受限型应用。该隔离栅支持 450VRMS 的工作电压，以及 1000VDC 的瞬态过压。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时，ISO652x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。ISO6520-Q1 具有 2 个同向隔离通道。ISO6521-Q1 具有 2 个隔离通道，每个方向各一个通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息，请参见器件功能模式部分。

这些器件有助于防止数据总线上的混合电压域系统（例如 CAN 和 LIN）之间的接地环路和噪声电流导致数据损坏。得益于芯片设计和布局布线技术，ISO652x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD 问题并符合辐射标准。

特性 Features

双通道 CMOS 输出功能隔离器

50Mbps 数据速率

具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：

器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围



稳健可靠的 SiO2 隔离栅（CMTI 典型值为 ±150kV/µs）

功能隔离(8-D)：

450VRMS、637VDC 工作电压

707VRMS、1000VDC 瞬态电压 (60s)



宽电源电压范围：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V

1.71V 至 5.5V 电平转换

默认输出高电平 (ISO652x-Q1) 和低电平 (ISO652xF-Q1) 选项

3.3V、1Mbps 时每通道电流典型值为 1.8mA

低传播延迟：3.3V 时为 11ns（典型值）

优异的电磁兼容性 (EMC)

系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度

超低辐射





窄体 SOIC (8-D) 封装选项